N沟道MOS管驱动要点
N沟道MOS管通常用于低侧开关（Low-Side Switch），源极接地，驱动简单。正常工作的条件是栅极电压高于地电位。
- 驱动电压：直接由MCU GPIO（3.3V/5V）或专用驱动芯片提供。若使用逻辑电平MOS管，3.3V即可完全导通。
- 栅极电阻（Rg）：串联在栅极的电阻用于抑制振荡、限制峰值驱动电流并控制开关速度。Rg过小会导致EMI问题，过大则增加开关损耗。
- 下拉电阻：在栅极和源极之间并联一个10kΩ-100kΩ电阻，确保驱动信号悬空时MOS管可靠截止。
// 示例：N沟道MOS管驱动电路
// MCU GPIO --- Rg(10Ω-100Ω) --- Gate
// Gate --- Rpull-down(10kΩ) --- Source(GND)
// Drain --- Load --- VCC
P沟道MOS管驱动要点
P沟道MOS管常用于高侧开关（High-Side Switch），源极接VCC，栅极需拉低才能导通。正常工作的条件是Vgs足够负（即Vg远低于Vs）。
- 驱动逻辑：当GPIO输出低电平时，Vgs = 0 - VCC = -VCC，MOS管导通；GPIO输出高电平（等于VCC）时，Vgs = 0，MOS管截止。
- 上拉电阻：在栅极和源极之间并联上拉电阻，确保GPIO复位或高阻态时MOS管可靠截止。
- 电平匹配：若MCU为3.3V，而VCC为12V，直接驱动会导致Vgs = 3.3 - 12 = -8.7V，可能超过Vgs额定值。需使用电平转换或专用高侧驱动IC。
高侧驱动：自举电路
当需要使用N沟道MOS管作为高侧开关时，栅极电压必须高于源极电压（即高于VCC）。自举电路（Bootstrap Circuit）是解决此问题的经典方案。
- 工作原理：当低侧MOS管导通时，自举电容通过二极管充电至VCC；当低侧关断、高侧需要导通时，自举电容电压叠加在源极电压上，提供高于VCC的栅极驱动电压。
- 关键元件：自举二极管（需快恢复或肖特基）、自举电容（通常0.1μF-1μF陶瓷电容）、低侧驱动。
- 占空比限制：自举电路要求高侧MOS管不能长期导通（占空比<95%），否则自举电容无法及时充电，导致驱动电压不足。
对于占空比接近100%的应用，需使用隔离电源或电荷泵驱动IC。